EPC eGaN FET
" (167499)EPC看好氮化镓板块
EPC对GaN行业持乐观态度，尽管面临地缘政治挑战和化合物半导体行业的变化。EPC的GaN工艺不依赖镓，而是使用TMGa作为制造GaN的原料，TMGa不在中国的出口限制清单上。EPC正在努力从更多来源确保TMGa的供应，以增加供应链的稳定性。Infineon收购GaN Systems的计划可能重塑供应链，但EPC仍致力于其技术成熟和行业标准的建立。GaN的市场份额预计将在2028年增长，尽管其市场份额相对较小，但EPC认为GaN具有巨大的潜力。
EPC2088 EPC氮化镓®FET汽车认证报告
本报告总结了EPC公司eGaN® FET产品EPC2088、EPC2204A、EPC2218、EPC2218A和EPC2302的合格测试结果。这些产品均满足所有必要的合格要求，并已获准生产。报告涵盖了高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、高温高湿反向偏置和湿度敏感度等级1等测试，所有测试均未出现故障。
EPC氮化镓®FET的热性能
本文探讨了EPC eGaN® FETs的热性能，包括热阻测量方法和结果。文章详细介绍了如何通过测量器件导通电阻（RDS(on)）来评估结温（TJ），并提供了具体的测试步骤和数据分析。此外，文章还讨论了不同热阻规格（RθJB、RθJC、RθJA）的定义和测量方法，以及如何通过这些参数评估EPC eGaN® FETs的热性能。
Radiation Tolerant Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaN®) FET Characteristics
EPC2302 EPC氮化镓®FET鉴定报告
本报告总结了EPC2302产品的认证结果，该产品是一款100V eGaN功率晶体管，采用QFN封装。报告涵盖了EPC2302的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级、无偏压高度加速应力测试和静电放电敏感性测试。所有测试均符合要求，EPC2302产品已通过认证并投入生产。
EPC2218A氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2218A元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2023年1月10日发布。声明中详细列出了该元器件的各个构造元素及其对应的物质、CAS编号、重量百分比和总重量百分比。声明中提到的物质包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、钛、镍、锡和银等。声明强调，所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括关于最终产品中包含的电气设备中掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC2054
本报告总结了EPC2054产品的认证结果，EPC2054满足所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环和高温高湿反向偏置等。测试结果显示，EPC2054在这些测试中均未出现故障，符合最新的JEDEC标准。
EPC2305 FCQFN封装材料成分声明中的氮化镓场效应晶体管
本资料为EPC2305元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2024年2月15日发布。声明中详细列出了该元器件中各成分的化学物质、CAS编号、重量百分比和总重量，包括芯片、硅氧化物、硅氮化物、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、金属层等。声明强调所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括最终产品中电气设备内掺杂剂和金属材料的微量信息。
EPC氮化镓®FET认证报告EPC2218
本报告总结了EPC2218产品的认证结果，EPC2218满足所有认证要求，现已投入生产。报告概述了EPC的eGaN FET在典型硅基功率MOSFET条件下的多种应力测试，包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度敏感度等级和静电放电敏感度测试。所有测试均未发现故障，产品符合最新JEDEC标准。
EPC2067 EPC eGaN® FET Qualification Report
EPC eGaN® FET Qualification Report EPC2070
EPC氮化镓®器件可靠性测试：第12阶段
本报告详细介绍了Efficient Power Conversion（EPC）公司eGaN®器件的可靠性测试，重点关注第12阶段的测试结果。报告涵盖了多种关键测试条件，包括电压、电流、温度和湿度等，以及各种机械应力。报告分析了eGaN器件的内在失效机制，并提出了基于物理的寿命模型。此外，报告还讨论了动态RDS(on)、安全工作区（SOA）、短路条件下的测试、机械力测试、焊接性和热机械应力等问题。通过这些测试和分析，报告展示了eGaN器件在多种应用中的可靠性和鲁棒性。
EPC eGaN® FET EPC2070 Qualification Report
EPC2069 EPC氮化镓®FET鉴定报告
本报告概述了EPC2069器件的合格测试结果，该器件满足所有必要的合格要求并已投入生产。测试包括高温反向偏置、高温栅极偏置、高温存储、温度循环、高温高湿反向偏置、湿度和温度敏感度等级以及静电放电特性测试。所有测试均未发现故障，EPC2069器件的性能符合数据表规范。
EPC2204A氮化镓场效应晶体管材料成分声明
本资料为EPC2204A元器件的材料成分声明，由Efficient Power Conversion (EPC)公司于2023年1月10日发布。声明中详细列出了该元器件的各个构造元素及其对应的物质、CAS编号、重量百分比和总重量百分比。声明中提到的物质包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化镓、铝、氮化铝、钛、氮化钛、铜、钨、聚酰亚胺、钛、镍、锡和银等。声明强调，所提供的数据为近似值，基于工程计算，可能因技术要求和开发而随时更改，EPC可能不另行通知更新此文件。声明可能不包括关于最终产品中包含的电气设备中掺杂剂和金属材料的微量信息。
增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南应用说明
本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章涵盖了EPC增强型GaN晶体管和IC的结构、制造过程以及性能特点，并提供了视觉指南，帮助用户开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统。
more version(s)
增强型氮化镓场效应晶体管和集成电路视觉特性指南
本文详细介绍了增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）和集成电路（IC）的物理特性，包括视觉标准。文章提供了开发利用增强型GaN FET和IC的电路和系统的工具集，并强调了利用现有生产基础设施提高设备成本效益的重要性。文章还介绍了EPC的GaN晶体管结构，包括其独特的金属层和绝缘层设计，以及如何通过优化封装减少不必要的元件，从而提高性能和可靠性。此外，文章还提供了EPC GaN FET和IC的视觉指南，包括器件的组装和参数表征。
more version(s)
成长中的氮化镓FET功率转换生态系统
本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相较于基于硅的替代品，具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET转换器对被动组件的要求，以及如何选择合适的陶瓷电容器。最后，文章强调了随着eGaN FET在应用设计中的普及，其支持组件的生态系统也在不断增长。
more version(s)
Enhancement Mode Gallium Nitride (eGaNTM) FET Characteristics under Long Term Stress
Enhancement Mode GaN Making Wireless Power Transmission More Efficient
氮化镓VS硅SmackDown
本文探讨了氮化镓（GaN）功率器件在电力电子领域的应用和发展。文章指出，GaN器件在效率、功率密度和热管理方面具有显著优势，尤其是在与硅基MOSFET相比时。文章还讨论了GaN器件的集成、成本和未来发展趋势，强调GaN技术将在电力电子领域发挥越来越重要的作用。
增强型氮化镓技术
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路相比硅基器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、减少开关损耗和降低电容方面的优势，以及其在集成、设计支持和可靠性方面的特点。此外，还讨论了eGaN®技术在汽车、无线电源、电机驱动、医疗和LED照明等领域的应用。
more version(s)
增强型氮化镓功率器件的辐射性能
本文探讨了增强型氮化镓（eGaN®）技术在太空应用中的辐射性能。文章介绍了EPC Space的eGaN FET和IC产品，这些产品专为在商业和可靠性卫星空间环境中使用而设计。文章分析了GaN器件中的故障机制及其对辐射性能的影响，包括陷阱和物理损伤。此外，文章还比较了eGaN器件和硅MOSFET在伽马辐射、中子辐射和重离子轰击下的性能，强调了eGaN器件在太空应用中的优越性。
EPC晶圆销售手册
EPC公司提供增强型氮化镓（GaN）器件的晶圆销售服务，包括不同尺寸和类型的晶圆，如带焊盘和不带焊盘的晶圆。服务还包括晶圆减薄、背面金属化等。EPC提供多种GaN FET和IC产品，涵盖不同电压和电流规格，适用于高效能转换应用。
增强型氮化镓技术简介
本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率转换技术相比，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在各种应用中的潜力。
Enhancement Mode GaN FETs and ICs Visual Characterization Guide
egallium氮化物®FET电气特性
本文详细介绍了eGaN FET（氮化镓场效应晶体管）的基本电气特性，并将其与硅MOSFET进行了比较。文章首先阐述了eGaN FET的最大额定值，包括漏源电压、漏极电流、栅源电压等，并解释了这些参数对设计的影响。接着，文章深入分析了eGaN FET的静态特性，如漏源导通电阻、栅极电流等，并展示了这些参数随温度变化的趋势。此外，文章还讨论了eGaN FET的动态特性，包括电容和电荷等，并分析了这些参数对开关损耗的影响。最后，文章比较了eGaN FET和硅MOSFET的优缺点，并强调了eGaN FET在提高功率转换效率方面的优势。
EPC29215_55 – Enhancement Mode Power Transistor eGaN® FET DATASHEET
EPC2102 – Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南
Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is a cutting-edge technology company dedicated to advancing the field of power electronics through the development and commercialization of gallium nitride (GaN)-based power devices.~~~~~~Efficient Power Conversion Corporation（EPC）是一家致力于通过开发和商业化基于氮化镓（Gallium Nitride）的功率器件来推进电力电子领域的尖端技术公司。
Electronic Mall
Brand：Hongmei Power Semiconductor
Category：GaN FET
Unit Price：$ 2.2408
In Stock： 20
Brand：Hongmei Power Semiconductor
Category：GaN FET
Unit Price：$ 3.1302
In Stock： 20
Brand：Hongmei Power Semiconductor
Category：GaN FET
Unit Price：$ 2.4166
In Stock： 16
Integrated Circuits
Discrete Components
Connectors & Structural Components
Assembly UnitModules & Accessories
Power Supplies & Power Modules
Electronic Materials
Instrumentation & Test Kit
Electrical Tools & Materials
Mechatronics
Processing & Customization
